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抗干扰开发系统

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产品名称: 抗干扰开发系统
产品型号: E1
产品展商: 艾仕欧
产品文档: 无相关文档


简单介绍
大部分电子产品需要通过电快速瞬变脉冲群(Burst)和静电放电(ESD)等项目的标准测试。测试时,把干扰脉冲从设备外部耦合到内部,同时监视设备的工作状态。如果设备没有通过这些标准的测试,测试本身几乎不能提供任何如何解决问题的信息。  E1抗干扰开发系统能采用不同的方式,向电子模块直接注入干扰电流、电场和磁场,在设备内部仿真干扰的过程,以定位电路板上电磁薄弱点,理解耦合机理,完成优化后的设计修改。 E1抗干扰开发系统不能按照某个标准进行兼容性测试。所以建议先对被测物进行标准的抗干扰测试(必要的话,在EMC实验室进行测试),然后对可能的故障原因进行分析,再利用E1抗干扰开发系统来找出更多的故障原因,并利用E1在产品开发场地进行设计修改的评估。

抗干扰开发系统

的详细介绍

       E1抗干扰开发系统包含SGZ21突发脉冲发生器,SGZ21能产生连续的类似于Burst或者ESD的干扰脉冲,脉冲的上升沿时间为2ns,下降沿时间为约10ns。这些脉冲包含的能量比2/50ns的Burst脉冲【根据EN 61000-4-4】或ESD【根据EN 61000-4-2】脉冲小,因此能在不损坏被测设备的情况下,把干扰直接耦合到电子模块内。由于SGZ21产生的脉冲,上升沿时间短,峰值电压也比较低,所以这些干扰对被测设备的影响,是和EN 61000-4-4的Burst脉冲的影响类似的。

      E1抗干扰开发系统中SGZ21脉冲的幅度是连续变化的。峰值在0-1500V之间,是按统计平均分布的。利用这种方法,配合传感器能对模块进行特别快速的抗干扰性能评估(脉冲率测试法-见2.5节),为此,发生器内置了一个带光纤(2.2mm塑料光纤)输入的计数器。 
同时SGZ21采用电气隔离(无PE参考)的对称输出。干扰脉冲能被容性耦合,极性可变。这样,就能采用各种耦合方式,例如: 
-把发生器的输出直接连接到被测物的GND系统上,把干扰电流直接注入到GND系统。 -把干扰电流注入到GND,然后从VCC返回。 
-干扰电流可以注入到变压器、分配器或者光耦的初级,从次级返回(在工作电压大于42V时,对SGZ21要有相应的保护) 
连接到发生器的场源,可以很好的定位被测设备的临界结构。 

       E1抗干扰开发系统利用场源,把burst信号转换为很小区域的磁场或者电场,可以注入到被测设备内部很小的区域内,或者单根电缆上。从而准确定位被测设备内部电磁敏感点的位置。 

      不同的电路结构,可能会对磁场敏感,也可能会对电场敏感。E1中的场源,有的是产生磁场的,有的是产生电场的,这样可以确认EUT是对哪种类型的干扰场敏感。场源和SGZ21的连接方法见图5。除了场源能产生干扰场之外,连接电缆也会把干扰耦合到EUT并影响测量结果。所以,电缆应该尽可能放置得离EUT远一些。

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